Радиодетали Радиодетали Транзисторы

Транзистор MOSFET IRF840 в Улан-Удэ

В наличии
Введите ваш e-mail:

Ваш номер телефона:



45 руб.

Описание

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
Выходная емкость (Cd): 1500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO220



 
Транзистор MOSFET IRF840